新开发的DDR3拥有高速数据传输性能，工作电压更低，此次开发的两种内存分别是240针的Unbuffered DIMM和204针的Unbuffered SO-DIMM，其频率为1066MHz，工作电压为1.5v，比DDR2的1.8v降低了不少。

　　据介绍，新的内存将会于2007年开始投放市场，届时将重点发展1GB和2GB等大容量类型。